Сетевое издание

Современные проблемы науки и образования

ISSN 2070-7428

"Перечень" ВАК

ИФ РИНЦ = 1,006

• Авторы
• Резюме
• Файлы
• Ключевые слова
• Литература

Буряк В.В. 1 Коваленко О.Ю. 1 Гусева Е.Д. 1

---

1 ГОУ ВПО «Мордовский Государственный университет им. Н.П.Огарева»

В данной работе рассматривается влияние дефектов структуры (плотности дислокаций и дислокационных скоплений) галофосфатных люминофоров активированных сурьмой и марганцем на световой поток в люминесцентных лампах. Экспериментальные данные показывают снижение светового потока люминесцентных ламп при увеличении количества дислокаций в кристаллах люминофора. Проводиться аналогия с дефектами (дислокации и дислокационные скопления) в металлах и сплавах и ультразвуковым методом их обработки с целью снижения локальных напряжений, которое проявляется в изменении распределения дислокаций по ямкам травления в монокристалле вольфрама и скорости упругого последействия вольфрамовых проволок. Применение ультразвуковой обработки лампового люминофора позволяет увеличить относительный световой поток за счет влияния механических колебаний на перераспределение дислокаций в кристалликах, по аналогии с металлами.

Статья в формате PDF

439 KB

люминофор

дислокации

плотность

напряжения

световой поток

тушение

ультразвук

колебания

перераспределение

1. Александров Л. Н., Золотков В. Д., Мордюк В. С. Ростовые и радиационные дефекты кристаллов люминофоров для источников света. - Новосибирск: Наука, 1986.-184 с.

2. Бурханов Г.С., Мордюк В.С., Буряк В.В. и др. Фундаментальные и прикладные научные проблемы использования особочистых материалов в источниках света с целью повышения их эффективности и энергосбережения //Горный информационно аналитический бюллетень. Тематическое приложение. Функциональные материалы. Изд. РАН.- 2005.- С.103-112.

3. Буряк В.В., Мордюк В.С. Дефекты структуры и световой поток ламповых люминофоров. Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики//мат. XII Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участием в рамках III Всерос. светотехнич. форума с междунар. участием. МГУ им. Н.П. Огарева. - Саранск: Изд. Афанасьев В.С., 2015.- С. 371-377.

4. Мордюк В. С. О некоторых физических механизмах поглощения ультрафиолетового излучения ртутного разряда на структурных дефектах люминофора. //Материалы для источников света и светотехнических изделий ─ межвузовский сборник научных трудов/Саранск: из-во Мордовского университета, 1993.-с.4-10.

5. Мордюк В.С., Буряк В.В., Котлов В.А. и др. Энергосберегающие материалы для источников света.//Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники // Сб. науч. тр. Всерос. науч.-техн. конф. с международным участием /Под ред. Л.В. Абрамовой.- Саранск.- СВМО, 2002. С. 97-102.

В настоящее время в люминесцентных лампах (ЛЛ) в основном применяются люминофоры, состоящие из галофосфатов кальция активированных сурьмой и марганцем (ГФЛ). Люминофоры являются кристаллическими веществами и содержат различного рода дефекты кристаллической решетки, влияющие на их эксплуатационные свойства. Основное влияние на световой поток ЛЛ дают дислокации и их скопления. Снижение излучающей способности люминофоров отмечается многими авторами на основании теоретических расчетов и экспериментальных результатов. На излучающей способности люминофоров сказывается количество и распределение дислокаций [1,4,5]. Снижение дефектности люминофора является актуальной задачей. На основании выводов, сделанных авторами [3] о снижении внутренних напряжений в кристаллах под действием ультразвуковых колебаний (УЗК), в данной работе были проведены экспериментальные исследования по определению влияния УЗК на дислокационные скопления, создающие эти напряжения, результатом которого должно явиться увеличение излучающей способности люминофора.

С точки зрения влияния дефектной структуры люминофора, на его оптические свойства, наиболее опасными являются скопления дислокаций, образующиеся в результате деформирования, например размола. Показательными являются следующие результаты этого влияния [1]: плотность дислокаций в кристаллах люминофоров может достигать величины порядка 108 см −2 и более; предельно деформированное состояние люминофора характеризуется плотностью дислокаций 1011 – 1012 см−2, которая сравнима с плотностью дислокаций хорошо наклепанных металлов и сплавов (при этом яркость свечения и световая отдача ламп близки к нулю [4]); в производстве люминесцентных ламп наличие высокой плотности дислокаций приводило к снижению яркости люминофоров (до 15 %) после их технологического размола.

Дислокации и их скопления в частицах люминофоров оказывают тушащее действие на люминесценцию [3], которое обусловлено особым взаимодействием локализованной в области дефектов внутренней энергии решетки люминофора с подводимой извне энергией возбуждения активаторов.

По мнению авторов [2-3]: становится все более очевидным, что внутренние напряжения вокруг дислокационных линий оказывают угнетающее действие на излучения люминофоров и световую отдачу ЛЛ, что требует разработки методов снижения плотности дислокаций в кристаллах люминофора.

Авторами [3] были приведены результаты влияния УЗК на монокристалл вольфрама (рисунок 1), где показан эффект снижения локальных напряжений, за счет равномерного распределения дислокаций.

Рис. 1. а, б – распределение дислокаций по ямкам травления в деформированном монокристалле вольфрама до и после воздействия ультразвуковых колебаний

Эффект снижения локальных напряжений от дислокационных скоплений под действием УЗК хорошо проявляется в процессе изменения скорости упругого последействия в вольфрамовых проволоках [3]. Упругое последействие (УП) – как временная зависимость деформации εуп(t) предварительно деформированных кручением проволочных образцов позволяет определять наличие упругих скоплений дислокаций по скорости раскручивания, являясь одним из методов их обнаружения и контроля.

Линейные дислокационные скопления наблюдаются и в частицах люминофора. Это хорошо иллюстрирует рисунок 2, где показано упругое линейное дислокационное скопление перед фазовым включением в отдельной частице люминофора [1].

Рис. 2. Линейное скопление дислокаций в виде цепочки перед фазовым включением в частице люминофора (растровая электронная микроскопия)

Для снижения плотности дислокаций и локальных напряжений в люминофорах, был предложен метод его обработки с применением УЗК [3]. УЗК хорошо распространяются в твердых телах и жидкостях и имеют свойство затухать практически полностью в воздухе. Эти свойства определяют условия ультразвуковой обработки. Наиболее приемлемым в данном случае является применение ультразвуковой ванны, в которую необходимо помещать люминофор.

Была проведена ультразвуковая обработка лампового люминофора марки ФЛ 580-3500-1 «белой цветности». Люминофор в виде суспензии обрабатывался в ультразвуковой ванне с УЗК различной интенсивности и с разной продолжительностью. Образцы для определения эффективности ультразвуковой обработки люминофора представляли собой нанесенные на стеклянную пластинку суспензию люминофора, которые отжигались в муфельной печи. Для каждой экспериментальной точки (рисунок 3) были изготовлены по четыре образца. Измерение относительной яркости от образцов проводились с помощью спектрорадиометра Spekbus 1211. Экспериментальные данные представлены (табл.1).

Таблица 1

Экспериментальные данные

Статистическая обработка данных приведена (табл.2).

Таблица 2

Статистическая обработка экспериментальных данных

Для визуализации построен график (рис.3), показывающий увеличение относительной яркости люминофора до 15 % по отношению к исходному.

Рис. 3. Изменение относительной яркости лампового люминофора после ультразвуковой обработки

Визуально можно определить, что четвертая партия образцов имеет наилучший результат. Дальнейшая обработка заключалась в анализе четвертой партии экспериментальных образцов.

Проведем проверку гипотезы нормальности для одной из серий эксперимента.

Необходимо вычислить, сумму квадратов отклонений от среднего арифметического (1):

, (1)

где хi – iе измерение,

xср – среднее значение.

S_E = 0,01.

Далее вычисляется величина ba по формуле (2):

(2)

Значения коэффициентов аn-i+1 берутся из таблицы

Wn = 1,00.

1,00 > 0,93 – гипотеза нормальности подтверждается.

Сравнение нескольких дисперсий по критерию Бартлета.

Средняя арифметическая взвешенная всех выборочных дисперсий определяется по формуле (3):

(3)

S_A²= 0,02;

Х²_p=31,45;

Х²_(2;0.05)= 6.

Х_p >Х_т, дисперсии не однородны.

Сравнение двух средних значений по критерию Стьюдента (4):

t = (S²_a1 - S²_a2) / (S²_ср)^0,5 ∙(1/n+1/n)^0,5  ,                                (4)

где S²_a - средняя дисперсия воспроизводимости,

n  - количество измерений .

t_р = 78,96.

t_кр = 2,10.

t_p > t_т, различия между средними есть.

Выводы

Для повышения оптических свойств люминофоров необходимо снижение плотности дислокаций и локальных напряжений, вызванных дислокационными скоплениями.
Проведенные исследования по обработке лампового люминофора ультразвуковыми колебаниями показали правильность высказанных предложений авторов [3] по снижению плотности дислокаций в локальных объемах. Результаты, полученные в ходе исследований, показали эффективность ультразвуковой обработки люминофоров в целях улучшения их оптических свойств, повышения излучающей способности в среднем до 15%, что совпадает с ранее полученными данными [1].

Рецензенты:

Панфилов С.А., д.т.н., заведующий кафедрой общей и теоретической электротехники ФГБОУ ВПО «МГУ им. Н.П. Огарева», г. Саранск;

Свешников В.К., д.т.н., профессор кафедры физики и методики обучения физике ФГБОУ ВПО «МГПИ им. М. Е. Евсевьева», г. Саранск.

Библиографическая ссылка