Описана модель размерного эффекта диэлектрического отклика тонких пленок сегнетоэлектриков со структурой перовскита в параэлектрическом и в сегнетоэлектрическом состояниях. Размерный эффект проявляется как в уменьшении диэлектрической проницаемости, так и в смещении точки фазового пе-рехода по сравнению с объемным материалом. Одной из причин размерного эффекта является корреля-ция поляризации и ее блокировка на границах пленки (нулевые граничные условия). Статья содержит описание моделей зависимости спонтанной и динамической поляризации от температуры и простран-ственной координаты. Введены критические размеры сегнетоэлектрического образца. Показано, что и толщина пленки, при которой она теряет свои сегнетоэлектрические свойства, и толщина, при которой ее диэлектрический отклик начинает зависеть от размеров, определяются корреляционным параметром материала. Показано, что проявление размерного эффекта в пленке зависит от ориентации вектора по-ляризации.
The model of size effect of dielectric response in thin perovskite ferroelectric films has been described in ferroe-lectric and paraelectric states. Size effect is manifested in the reducing the dielectric constant and shifting the phase transition temperature in comparison with bulk material. One of the reasons of size effect is the correlation of the ferroelectric polarization and freezing of the polarization on the film surface (zero boundary conditions). The article contains description of models of dynamic and spontaneous polarization as a function of temperature and spatial coordinates. The critical sizes of ferroelectric sample have been introduced. The film thickness at which it loses ferroelectric properties and the thickness at which the dielectric response of the film begins to depend on its size are determined by the correlation parameter of the material. The appearance of the size effect in the film depends on the orientation of the polarization vector.
1. Вендик О.Г. Размерный эффект в сегнетоэлектриках типа смещения / О.Г. Вендик, С.П. Зубко // Кристаллография.  2004. - Т. 49. - № 6.  С. 1144–1150.
2. Вендик О.Г. Континуальная модель сегнетоэлектрической моды / О.Г. Вендик, И.Г. Мироненко // ФТТ.  1974. - Т. 16. - № 11.  С. 34453451.
3. Давитадзе С.Т. Фазовый переход в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких плен-ках по данным тепловых измерений / С.Т. Давитадзе, Б.А. Струков, Д.В. Высоцкий, В.В. Ле-манов, С.Г. Шульман, Y. Uesu, S. Asanuma // ФТТ.  2008. - T. 50. - Вып. 12.  C. 22062209.
4. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. - М. : Наука, 1973. 328 с.
5. Cochran W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity // Advances Phys.  1960. - V. 9.  P. 387.
6. Cowley R.A. Lattice dynamics and phase transitions in strontium titanate // Phys. Rev.  1964. - V. 134. - No. 4A.  P. A981-A997.
7. Фридкин В.М. Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах // УФН.  2006. - Т. 176. - № 2.  С. 203212.
8. Anliker M. Das verhalten von kolloidalen seignetteelektrika III, bariumtitanat BaTiO3 / M. Anliker, H.R. Brugger, W. Kaenzig // Helv. Phys. Acta.  1954. - V. 27.  P. 99123.
9. Vendik O.G. Calculation of the point lattice potential of a bounded crystal // Phys. Stat. Sol.  1968. - V. 28.  P. 789796.
10. Vendik O.G. “Dead layer” characteristics based on a correlation of the ferroelectric polarization under relevant boundary conditions in a parallel plate capacitor / O.G. Vendik, S.P. Zubko, and N.Yu. Medvedeva // JAP.  2009. - V. 105.  P. 053515.
11. Chen B. Thickness and dielectric constant of dead layer in Pt/(Ba0.7Sr0.3)TiO3/YBa2Cu3O7−x ca-pacitor / B. Chen, H. Yang, L. Zhao, J. Miao, B. Xu, X.G. Qiu, B.R. Zhao, X.Y. Qi, and X.F. Duan // Appl. Phys. Lett.  2004. - V. 84. - No. 4.  P. 583585.
12. Зубко С.П. Модель размерного эффекта в тонкой сегнетоэлектрической пленке в условиях фазового перехода // ФТТ.  2010. - Т. 52. - Вып. 12.  С. 24012404.