При изготовлении фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур с хорошими электрическими характеристиками наблюдался низкий процент выхода годных изделий из-за брака по фотоэлектрическим параметрам. В работе представлены результаты исследования распределения фоточувствительности по площади для структур InxGa1-xAsySb1-y/GaSb при значениях х=0,18 и у=0,17. Эпитаксиальные структуры были получены методом жидкофазной эпитаксии. Приведено описание установки и методика измерения, основанная на использовании эталона сравнения. Для исключения паразитных фото ЭДС, связанных с наличием широкозонной подложки, в установке использован германиевый фильтр. На пластинах обнаружены явно выраженные области с высокой и низкой фоточувствительностью. Разброс значений чувствительности в разных частях пластины достигал 3 крат. Оценки абсолютных значений токовой чувствительности для лучших образцов оказались близкими к предельно возможным. Предлагаемая установка и методика исследований может быть успешно использована для отработки технологии жидкофазной эпитаксии и оценки качества пластин при их поставке потребителю.
In the manufacture of photodiodes based on the heteroepitaxial structures with good electrical characteristics, a low-percentage yield of suitable was seen because of the photoelectric parameters failure. The results of the photosensitivity distribution over the area for the InxGa1-xAsySb1-y/GaSb structures for the values of x = 0.18 and y = 0.17 are presented the epitaxial structures were grown research by a liquid phase epitaxymethod. A description of the installation and a measurement technique based on the use of reference standards are given.To eliminate spurious photo EMF associated with the presence of wide-zone Substrate a germanium filter isusedin the installation. Clearly defined areas of high and low photosensitivity are detected on the plates. The spread of sensitivity values in different parts of the plate reached 3-fold value. The estimates of the absolute values of the current sensitivity of the best samples were close to the maximum possible. The proposed installation and research methods can be successfully used for development of the technology of liquid phase epitaxy and the plate quality evaluation during their delivery to the consumer.
1. Гаврушко В. В., Григорьев А. Н. Исследование ВАХ фоточувствительных структур на основе InGaAsSb. // Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств: материалы 5-ой Международной конференции (Новополоцк 29–30 мая 2008 г.). – Новополоцк: Госуниверситет, 2008. – Т. 1. – С.7-9.
2. ГОСТ17772–88. Приёмники излучения и устройства приёмные полупроводниковые фотоэлектрические. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определение характеристик. – М.: Изд-во стандартов,1988. – С. 90.
3. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов: В 2 т. – М.: Мир, 1981. – Т. 1. – С. 465.
4. Стоянов Н. Д., Фотодиоды на основе гетеропереходов П типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм" // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35. – Вып.4. – С. 467-473.
5. Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Современное состояние и магистральные направления развития твердотельной фотоэлектроники. – М.: Физматкнига, 2010. – С. 128.
6. Sharabani Y. InAsSb/GaSb Heterostructure Based Mid Wavelength Infrared Detector For High Temperature Operation // MIOMD-VIIAbstracts 8th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD-VIII).(BadIschl.Austria 14th – 16th May 2007). – BadIschl. – Austria, 2007. – P. 158-159.