<p> С использованием ab-initio программного кода CRYSTAL, основанного на теории функционала плотности, исследованы структурные, электронные и упругие свойства 17 полухейслеровских соединений A<sup>1</sup>B<sup>2</sup>X<sup>5</sup>. Полухейслеровские</strong> <strong>кристаллы типа A<sup>1</sup>B<sup>2</sup>X<sup>5</sup> являются аналогами бинарных алмазоподобных соединений типа A<sup>3</sup>X<sup>5</sup> со структурой сфалерита (структура типа ZnS, группа симметрии F-43m). Для всех соединений, проведена процедура оптимизации геометрии кристалла. Вычисленные значения постоянных решетки и ширины запрещенной зоны могут быть использованы в качестве основной информации при подборе перспективных для практического применения материалов. Вычисленные упругие постоянные показывают, что исследованные материалы являются механически стабильными при обычных условиях. Установлено, что большинство материалов являются хрупкими. Вычисленные значения микротвердости сопоставимы с микротвердостями бинарных аналогов A<sup>3</sup>X<sup>5</sup> со структурой сфалерита (ZnS): AlN, AlP и AlAs.</p>
<p> >We investigated structural, electronic and elastic properties of 17 half-Heusler compounds A<sup>1</sup>B<sup>2</sup>X<sup>5</sup> with use ab-initio the program code CRYSTAL based on the density functional theory. A<sup>1</sup>B<sup>2</sup>X<sup>5</sup> crystals are analogous binary diamond-type compounds A<sup>3</sup>X<sup>5</sup> with the lattice zincblende (ZnS-type, space group F-43m). For all compounds, we have optimized the lattice constant. The calculated constant lattices and band gaps can be used as the basic information for selection of perspective materials for practical application. The calculated elastic constants show that the investigated materials are mechanically stable at ambient condition. Most of the materials are brittle. The calculated values of microhardness are comparable to those of binary analogues A<sup>3</sup>X<sup>5</sup> with the lattice zincblende (ZnS): AlN, AlP and AlAs. </p>
1. Басалаев Ю. М., Стародубцева М. В. Особенности распределения заряда валентных электронов в кристаллах LiBIIXV // Журнал структурной химии. – 2015. – Т.56 , №6. – С. 1088-1094.
2. Басалаев Ю. М., Стародубцева М. В. Первопринципные расчеты электронной структуры кристаллов LiBIIAs (B=Mg, Ca, Zn) с решеткой сфалерита // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – Барнаул, 2012. – Т. 9. – № 3. – С. 349-352.
3. Басалаев Ю. М., Стародубцева М. В. Первопринципные расчеты электронной структуры кристаллов LIBIICV (B=Mg, Ca, Zn и C=N, P, As) // Изв. вузов. Физика. – 2014. – Т. 57. – № 1. – С. 124.
4. Gruhn T. Comparative ab initio study of half-Heusler compounds for optoelectronic applications // Phys. Rev. B. – 2010. – V. 82, N12. – P. 125210.
5. Kacimi S., Mehnane H., Zaoui J. I–II–V and I–III–IV half-Heusler compounds for optoelectronic applications: Comparative ab initio study // Alloys and Compounds. – 2014. – V. 587, N 21. – P.451-458.
6. Kuriyama K., Kato T., Kawada K. Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiZnAs // Phys. Rev. B. – 1994. – 49, N 16. – P. 11452.
7. Kuriyama K., Katoh T. Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiZnP // Phys. Rev. B. – 1988. - 37, N 12. – P.7140.
8. Kuriyama K., Kushida K. Optical band gap of the filled tetrahedral semiconductor LiMgAs // Journal of Applied Physics. – 2000. – 87, N 6. – P. 3168
9. Kuriyama K., Kushida K., Taguchi R. Optical band gap of the ordered filled-tetrahedral semiconductor LiMgP // Solid State Comm. – 1998. – 108, N 7. – P. 429
10. Villars P., Calvert. L.D. Pearson's Handbook of Crystallographic Data for Intermetallic Phases, second ed., ASM International, Materials Par, OH 1996.