Ввиду возрастающих требований в плане надежности к изделиям силовой электроники, предложена конструкция силового модуля с поликристаллическими алмазными теплоотводами. Разработана и изготовлена прижимная конструкция силового трехфазного модуля с алмазными теплоотводами. Конструкция также позволяет использовать алмазные теплоотводы, на которых расположены силовые транзисторы, присоединенные методом низкотемпературного спекания нанопорошков серебра. Преимуществом соединения методом спекания является малое значение температурного сопротивления системы полупроводниковый кристалл – теплоотвод. Кроме того, на каждую алмазную пластину, методом термического осаждения нанесен терморезистор, служащий тепловым датчиком силового транзистора. Для управления транзисторами на силовом модуле смонтирован трехфазный драйвер с встроенной системой защиты. Ввиду высокой теплопроводности алмазной пластины и близкого расположения терморезистора к полупроводниковому кристаллу, система защиты силового модуля, в случае достижения температуры полупроводникового кристалла критического значения, оперативно отключает весь силовой модуль. Контактные площадки истока и затвора на полупроводниковом кристалле присоединены к выводам силового модуля при помощи ультразвуковой разварки.с трехфазным драйвером включающей систему защиты по температуре.

Due to increasing requirements in terms of reliability for power electronics products, our proposed a power module construction with polycrystalline diamond heat sinks. Designed and manufactured by the pressing construction of the three-phase power module with diamond heat sinks. The construction also allows the use of diamond heat sinks, which are located on the power transistors, connected by low-temperature sintering of silver nano-powders. The advantage of bonding by sintering a low value of thermal resistance between the semiconductor chip - heat sink. Also, each diamond plate caused by thermal deposition thermistor serving as a heat sensor for each power transistor. To control the transistors in the power module mounted three-phase driver with built-in protection system. Due to the high thermal conductivity of the diamond plate and thermistor proximity to the semiconductor chip, the protection system of the power module, in the event if the temperature of the semiconductor chip reaches a critical value, operatively turns off the entire power module. The contact areas of the source and gate of the semiconductor chip are connected to the outputs of the power module using an ultrasonic bonding.