Проведено компьютерное моделирование процесса взаимодействия протонов и ионов железа с кристаллической структурой логического элемента на основе транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ). С использованием программы TRIM проведено моделирование треков и ионизационных потерь энергии. Вычислены трехмерные профили распределения потерь энергии на ионизацию. Результаты моделирования позволяют оценить величину избыточного заряда поступающего в активную область транзистора при взаимодействии частиц. Определены наиболее критичные режимы, возникающие при взаимодействии частиц и исследуемых структур, определены параметры импульсов тока, соответствующие этим режимам. Показано, что для всех типов ионов в исследованном диапазоне энергий попадание частицы в карманы кристалла с резисторами сбоев в работе микросхемы не вызывает. Электрическая схема логического элемента с ТТЛШ смоделирована при помощи Micro-Cap.

Computer simulation of process of interaction protons and iron ions from crystal structure the logic element based on transistor-transistor logic with Schottky diodes (STTL). Using the program TRIM simulated tracks and ionization energy losses. We calculate the three-dimensional distribution profiles of the energy lost to ionization. The simulation results allow us to estimate the magnitude of the excess charge flowing into the active region of a transistor in the interaction of particles. Identified the most critical modes arising from the interaction of particles and structures under study, defined the parameters of the current pulses corresponding to these modes. Shown that for all types of ions in the investigated energy range of particles entering the pockets chip resistors chip malfunction does not cause. Schematic diagram logic element with STTL simulated using Micro-Cap.