Исследованы стекла в системе GeSe2-Sb2Se3-AgI в монолитном и пленочном состоянии. Особое внимание уделено кристаллизационной устойчивости и ионной проводимости стекол и пленок. Пленки получали лазерной абляцией стекол в вакууме. Полученные стекла исследовались методами рентгенофазового анализа (РФА), дифференциально-термического анализа (ДТА), импедансометрии. Напыленные пленки были также изучены методом РФА и импедансометрии. Морфология поверхности пленок контролировалась с помощью электронной микроскопии. Элементный состав был подтвержден методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Показано, что стекла, содержащие 40 мол. % AgI, обладают значительной для халькогенидных стекол температурой размягчения (190 оС) и высокой кристаллизационной устойчивостью, а логарифм их удельной электропроводности при 100оС имеет величину порядка -3,5 при энергии активации около 0,5 эВ.
Bulk samples and thin films of glasses GeSe2-Sb2Se3-AgI were studied. The particular attention was been focused on the crystallization behavior and ionic conductivity of films and glasses. The films were obtained by laser ablation of glasses in vacuum. Obtained bulk samples were studied by X-ray diffraction (XRD), differential thermal analysis (DTA) and impedance spectroscopy. Deposited films were investigated by XRD and impedance spectroscopy. Surface morphology of the films was monitored by electron microscopy. The elemental composition was confirmed by EDX method. It is shown that the glass containing 40 mol. % AgI possess significantly high (comparing with other chalcogenide glasses) softening temperature (190 ° C) and high crystallization resistance, and the logarithm of conductivity is about -3.5 at 100 ° C, the activation energy is about 0.5 eV.
1. Орлова Г.М., Кожина И.И., Короленко В.Г. Диаграмма состояния системы GeSe2–Sb2Se3 // Вестн. ЛГУ. – 1975. - N4. – С. 90-95.
2. Tverjanovich A.S., Borisov E.N., Vasilieva E.S., Tolochko O.V., Vahhi I.E., Bereznevc S., Tveryanovich Yu.S., CuInSe2 thin films deposited by UV laser ablation Solar Energy Materials & Solar Cells 90 (2006) 3624–3632.
3. Tver’yanovich Yu. S., Bal’makov M. D., Tomaev V. V., Borisov E. N., Volobueva O., Ion-conducting multilayer films based on alternating nanolayers Ag3SI, AgI and Ag2S, AgI Glass Physics and Chemistry April 2008, Volume 34, Issue 2. – Р. 150-154.
4. Furusawa Shin-ichi, Fabrication and ionic conduction of ionic conducting thin films, Physics of Solid State Ionics, 2006: 271-302 ISBN: 81-308-0070-5.
5. Malesh V.I., Rubish V.V., Shpak I.I., Polarization properties and a local structure of (GeSe2) x (Sb2Se3) glasses.// Semiconductorr Phisics Quantum Electrоnic & Optoelectronics. – 2002. – V 5, N4. - P. 385-390.
6. Salamon M. B., Phase Transitions in Ionic Conductors, in “Physics of Superionic Conductors”, Topics in Current Physics. – Vol. 15, 1979.
7. Vassilev G., Vassilev V., Boycheva S., Petkov K., New Chalcohalide Glasses from the GeSe2–Ag2Se–AgI System for Nanostructured Sensors, NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics 2011. – Р. 235-238.
8. Vassilev V., Vassilev G., Dikova J., Petkov K., Glass formation in the GeSe2-Sb2Se3-AgI system. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 11, No. 12, December 2009. – Р. 2024-2028.
9. Zhuobin L., Changgui L., Guoshun Q., Laurent C., Shixun D., Xianghua Zh., Tiefeng X., Qiuhua N., Formation and properties of chalcogenide glasses based on GeS2–Sb2S3–AgI system, Materials Letters, Volume 132, 1 October 2014. – P. 203-205.