Показана возможность использования в сенсорной технике переключательных элементов с S-образной ВАХ на основе тонких пленок VO2. Представлены результаты исследования температурных и частотных зависимостей величины диэлектрической проницаемости диоксида ванадия, полученного методом анодного оксидирования. По данным измерений среднее значение диэлектрической проницаемости при комнатной температуре на частоте 1 kHz составляет ɛ = 220±20. В диапазоне частот 10 Hz – 100 kHz диэлектрическая проницаемость изменяется в пределах от 250–300 до ~100. Полученные значения хорошо коррелируют с литературными данными для монокристаллов VO2. С понижением температуры ɛ уменьшается, что необходимо учитывать при разработке датчиков температуры на основе исследуемых структур, внося соответствующие коррективы в формулу для частоты релаксационных колебаний, где емкость формально предполагается постоянной величиной, не зависящей от температуры.

The possibility of using of switching elements with S-shaped I-V characteristics based on VO2 thin films in sensor materiel is shown. The results of study of the temperature and frequency dependences of dielectric constant values of vanadium dioxide produced by anodic oxidation are presented. According to the measurements, the mean value of the dielectric constant at room temperature and at f = 1 kHz is ɛ = 220±20. In the frequency range of 10 Hz to 100 kHz, the permittivity varies from 250–300 to about 100. The values obtained are in good agreement with the literature data for VO2 single crystals. As the temperature decreases, the value ɛ decreases too which should be taken into account when developing the temperature sensors on the basis of the structures under study, introducing appropriate adjustments into the formula for the frequency of the relaxation oscillations, where the capacity is formally assumed to be constant, independent of temperature.