Существует тенденция замены электромеханических устройств на электронные. Для проведения адекватного анализа необходимо провести расчет статических и динамических потерь в системе защиты и коммутации в бортовой сети автомобиля. МОП-транзисторы являются основой полупроводниковых интеллектуальных ключей, применяемых в автомобиле. Для оценки эффективности выбранного ключа необходимо обладать математическим инструментом, позволяющим оценить потери мощности. В статье рассматриваются особенности расчета для различных типов потребителей электроэнергии, а также рассматриваются вопросы расчета в цепях, содержащих индуктивную нагрузку. Приведена методика расчёта статических потерь в МОП-транзисторе с применением параметров, полученных из спецификации устройств. Представленная методика расчёта статических потерь достаточно точно описывает физические процессы, протекающие в ключе. Динамическими потерями, в случае применения ключей в автомобиле, можно пренебречь из-за небольшого количества переключений. Методика может быть полезна при решении задачи замены традиционных коммутирующих элементов на полупроводниковые.

There is a tendency to replace electromechanical devices to electronic. For adequate analysis should perform calculations of static and dynamic losses in the system of protection and switching in the vehicle electrical system. MOSFET – transistors are the basis of semiconductor intellectual keys used in the car. To assess the effectiveness of selected key must have a mathematical tool which measures the loss of power. The peculiarities of calculation for different types of consumers of electricity, and also discusses the calculation of the line connected with an inductive load. The methodology of calculation of static losses in MOSFET – transistor using parameters derived from the specification of devices. The presented method of calculating the static losses quite accurately describes the physical processes occurring in the key. The dynamic losses in the case of using the car key cannot be neglected due to the large number of switching operations. The technique may be useful in solving the problem replace the traditional switching elements on semiconductor.